<span style='color:red'>ROHM</span>推出适用于Zone-ECU的高性能智能高边开关！
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ROHM推出适用于Zone-ECU的高性能智能高边开关！

　　～高容性负载驱动，为汽车电子化进程注入强劲动力～　　近日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，针对汽车照明、汽车门锁、电动车窗等正逐步采用Zone-ECU*¹的车身相关应用，推出6款不同导通电阻值的高边IPD*²(智能高边开关)“BV1HBxxx系列”，非常适合用来保护系统免受功率输入过大等问题的影响。全系列产品均符合AEC-Q100车规标准，满足对车载产品严苛的可靠性要求。　　随着自动驾驶和电动汽车(EV)的不断发展，汽车的电子控制越来越复杂。与此同时，从功能安全角度来看，电子保护的重要性日益凸显，以区域为单位对汽车进行管理的“Zone-ECU”应用进程加速。在这种趋势下，用于对负载进行电子保护和控制的IPD的应用也在加速。Zone-ECU需对大量负载进行集中控制，而传统IPD在容性负载驱动能力方面存在不足。ROHM本次发布的高性能IPD在满足低导通电阻、高能量耐受能力等基本性能要求的同时，弥补了容性驱动能力的短板，实现性能提升，充分满足Zone-ECU的需求。未来，新产品投入市场后将会大力推动无需使用机械式保险丝的“汽车电子化”进程。　　新产品具备高容性负载驱动能力*³，在Zone-ECU与输出负载(含各种ECU)的连接部位可充分发挥其性能。同时，凭借ROHM自主研发的最新工艺技术，新产品还成功实现以往难以兼顾的低导通电阻与高能量(破坏)耐受能力。由此，BV1HBxxx系列得以在驱动能力、导通电阻及能量耐受能力这三大关键要素上形成高水平的平衡，有助于实现安全性、效率性与可靠性俱佳的系统设计。与此同时，新产品搭载达到业界先进水平的高精度(实际精度：±5%)电流检测功能，可有效保护连接输出负载的线束。其小型且兼具优异散热性能的HTSOP-J8封装具有很高的通用性。　　新产品已于2025年6月开始以20万个/月的规模投入量产。此外，新产品已经开始通过电商进行销售(样品价格600日元/个，不含税)。未来，ROHM将继续致力于研发高可靠性、高性能的产品，为汽车领域的安全保障和节能减耗贡献力量。　　IPD(带电流检测功能的高边开关)产品阵容应用示例　　・车身相关应用、动力总成系统及逆变器周边、其他开关类应用　　电商销售信息　　发售时间：2025年6月起　　电商平台：新产品在AMEYA360等电商平台将逐步发售。　　产品型号：BV1HB008EFJ-CE2、BV1HB012EFJ-CE2　　BV1HB020EFJ-CE2、BV1HB040EFJ-CE2、BV1HB090EFJ-CE2、BV1HB180EFJ-CE2　　术语解说　　*1)Zone-ECU(Electronic Control Unit：电子控制单元)　　汽车电子架构中的创新设计概念之一。在传统设计中，汽车会搭载分别对应照明、汽车门锁、电动车窗等各项功能的ECU，而Zone-ECU则采用汽车分区理念，在每个区域配置可对该区域内所有功能进行集中控制的集成式ECU。　　*2)IPD(Intelligent Power Device)　　一种不仅可对电子电路进行开关控制，还可保护电路免受电气性破坏(如异常时的过电流)的器件。相较传统机械式保险丝，因其无机械触点而在使用寿命和可靠性方面更具优势。这种器件具有普通半导体开关器件MOSFET所不具备的保护功能，可助力构建安全且可靠性高的系统。　　*3)容性负载驱动能力　　主要在电子电路和半导体元器件领域使用的专业术语，是衡量电路和器件对容性负载(电容)的正常工作能力的性能指标。在由Zone-ECU及其输出负载(含各ECU)构成的电路中，通常会使用大容量电解电容，若容性负载驱动能力较低，将无法抑制浪涌电流，从而导致过热，进而引发误动作或缩短使用寿命。
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发布时间：2025-09-09 14:37 阅读量：301 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>适用于高功率密度车载充电器的紧凑型SiC模块
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ROHM适用于高功率密度车载充电器的紧凑型SiC模块

　　引言　　要实现零碳社会的目标，交通工具的电动化至关重要。更轻、更高效的电子元器件在这一进程中发挥着重要作用。车载充电器(OBC)便是其中一例。紧凑型传递模塑功率模块如何满足当前车载充电器(OBC)的需求?　　正文　　电动交通领域的发展日新月异：为提高车辆的自主性和续航里程，电驱动力总成系统变得越来越 高效和紧凑。车载充电器(OBC)作为这一发展进程中的关键组成部分，必须在保持高效效率的同时，尽可能小型轻量化。这一技术挑战还必须确保成本控制在限定范围内。　　OBC 用于交流充电， 需要由电网( 充电桩) 提供单相或三相电压。单相充电功率范围为 3.6kW~7.5kW，而三相充电功率则支持11kW~22kW。目前，为兼顾成本和效率，市场上的主流OBC 产品以中等功率范围(11kW)为主。22kW的OBC则主要用于高端市场。然而，所有OBC必须支持单相充电，以便在功率受限的情况下仍可为车辆充电。为实现车辆到电网(V2G)和车辆到车辆(V2V)的充电解决方案，越来越需要OBC具备双向充电功能。　　迄今为止，传统OBC的设计主要采用市场上的标准分立器件(THD或SMD封装)进行。尤其对于 SMD器件而言，由于需要通过PCB散热或使用合适的热界面材料将每个独立封装精密地固定在散热器上进行散热，因此存在诸多挑战。这种方案在功率密度提升和系统紧凑性方面已接近极限，而功率模块在新一代产品中则展现出显著的优势。　　图1：OBC的模块化(顶部)架构和集中式(底部)架构　　架构与拓扑　　OBC架构主要有两种(图1)：一种是基于三个相同单相模块的模块化架构;另一种是基于一个三相AC/DC转换器(该转换器也支持单相运行)的集中式架构。这两种架构均可通过单向和双向拓扑实现。　　模块化架构需要更多元器件，从而导致直流链路整体上对储能容量要求提高，进而推高体积和成本。另外，模块化架构还需要额外配置栅极驱动器和电压、电流检测功能。相比之下，集中式架构所需的元器件更少，因此可实现更具成本效益的OBC，这使其已成为高功率密度OBC的首选架构。　　SiC模块可实现更高效率和功率密度　　SiC凭借其卓越的特性，成为非常适用于OBC的功率半导体材料。ROHM的第4代SiC MOSFET采用沟槽结构，实现了超低导通电阻。另外，其非常低的米勒电容可实现超快的开关速度，从而可降低开关损耗。这些特性使得其总损耗更低，进而可减少散热设计负担。　　ROHM已推出专为OBC应用进行了优化的新产品——HSDIP20模块，进一步扩展了EcoSiC™系列的SiC MOSFET产品阵容。该系列模块在全桥电路中集成了4个或6个SiC MOSFET，与采用相同芯片技术的分立器件相比具有诸多优势。　　该系列模块采用氮化铝(AlN)陶瓷将散热焊盘与MOSFET的漏极隔离。这使得其结壳热阻(Rth)非常低，从而无需使用热界面材料(TIM)对散热焊盘与散热器之间进行电气隔离。　　得益于模具材料的应用，功率模块中的各芯片之间实现了电气隔离。这意味着芯片可以比分立器件方案布置得更加紧密(在分立器件方案中则必须考虑PCB上的爬电距离)。这种设计减小了PCB占用面积，同时提升了OBC解决方案的功率密度。　　工作量更少，风险更低　　除了技术优势外，内部隔离功能还可大大简化开发人员的工作：模块内部已内置电气隔离功能。而对于采用分立器件的解决方案，则需要在外部处理隔离问题。模块在交付前已由ROHM进行了相关测试，因此在OBC开发阶段无需再进行额外的电气隔离测试。可见，该系列模块不仅可缩短开发周期并降低开发成本，同时还能降低出现绝缘问题的风险。图2：在800V直流链路电压下，HSDIP模块在不同温度下的开通和关断损耗　　HSDIP20模块还具有第4代SiC MOSFET带来的附加优势：其0V关断电压可降低PCB布局的复杂性和成本。如图2所示，在800V直流链路电压下，采用第4代SiC MOSFET的HSDIP模块在不同温度条件下均表现出较低的开关损耗。图3：基于第4代SiC MOSFET的HSDIP20功率模块产品阵容　　HSDIP20模块的另一个优势在于其可扩展性。ROHM提供丰富的RDS(on)规格和拓扑结构选择，使该系列模块可适用于不同功率范围的OBC应用。目前可提供六款4合1拓扑模块和六款6合1拓扑模块。另外，ROHM还推出一款采用Six-pack拓扑结构的“混合型”模块，该模块通过组合不同RDS(on)的 MOSFET，为图腾柱PFC电路提供低成本解决方案，并可使用同一器件轻松实现单相和三相运行。各种拓扑结构的模块均采用相同封装形式，应用扩展非常便捷。所有功率模块均符合AQG324标准。　　热特性与开关特性　　为了验证HSDIP模块的优势，研发人员对器件进行了特性仿真和测试。在模块的热性能演示中， 采用的是配备36mΩ、1200V SiC MOSFET的Six-pack模块。仿真基于安装在液冷板上的单个模块进行，设定条件为单芯片损耗在25W至35W之间，Ta=Tw=60°C，TIM厚度为20μm，热导率为4.1W/mK。通过同时给芯片施加功率进行仿真，并根据仿真结果绘制出各器件的耗散功率与结温之间的关系曲线图(图4)。图4：HSDIP模块热性能仿真结果　　通过优化内部结构，该系列功率模块实现了非常低的单芯片热阻，在热性能方面具有显著优势。其最高结温远低于SiC MOSFET允许的175°C限值，从而为提升功率密度创造了更大空间，可满足大功率OBC的严苛需求。　　在模拟OBC应用中AC/DC变换级的测试板上，评估了采用36mW、1200V SiC MOSFET的6合1模 块的开关损耗特性。图2中已给出通过该测试获得的开关损耗结果。通过对该模块进行双脉冲测试评估得到的开关损耗结果，同样适用于本文所探讨的双向DC/AC变换级的情况。基于该数据，对11kW系统的双向DC/AC变换级进行仿真(图5)。仿真结果表明，基于采用第4代SiC MOSFET(36mΩ，1200V)的6合1模块构建的11 kW AC/DC变换级，在开关频率为48 kHz并使用强制风冷散热器的条件下，效率可达约99%(该效率值仅考虑了半导体损耗)。图5：HSDIP模块在OBC中双向AC/DC级的效率仿真　　结论　　在电动和混合动力汽车的OBC中，由4个或6个SiC MOSFET构成的模块，相较于分立器件方案具有显著优势。凭借其更高的功率密度，这种模块能够减小OBC的体积和重量，并降低设计的复杂性。 ROHM的HSDIP20模块集成了最新的EcoSiC™ MOSFET，仿真结果表明，将其应用在双向OBC的 AC/DC变换级时，该系列模块不仅展现出优异的热特性，更能实现约99%的效率。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　参考文献　　[1] M. Jankovic, C. Felgemacher, K. Lenz, A. Mashaly and A. Charkaoui，《车载充电器成本与效率考量》[J]。2022年第24届欧洲电力电子与应用会议(EPE'22 ECCE Europe)，德国汉诺威，2022： P.1-P.9。　　关于罗姆　　罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。　　在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性 能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。　　了解更多信息，请访问罗姆官网：https://www.rohm.com.cn/
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发布时间：2025-08-28 14:34 阅读量：428 继续阅读>>
研讨会速递！<span style='color:red'>ROHM</span> Nano电源技术精讲
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研讨会速递！ROHM Nano电源技术精讲

　　近年来，电源系统主要面临更高耐压，更低功耗，更小型化等需求。ROHM对应这三种课题，利用集团的垂直统合型生产体制，将电路设计，工艺和布局三大模拟技术相融合，开发出了三种Nano电源技术，从而实现高效稳定的电源控制。另外，通过助力应用产品的进一步节能和小型化，为实现无碳社会贡献力量。更多你想了解的ROHM产品和技术分享及展望，均可在本次线上研讨会上找到答案！　　扫描下方海报，报名本次研讨会，共同探讨ROHM Nano技术及相关产品，参与即有机会赢取精美礼品，精彩不容错过！　　研讨会提纲　　1. ROHM的关键技术　　2. "ROHM Nano"技术详解　　3. 满足时代需求的Nano系列及其产品　　4. ROHM对Nano系列展望　　研讨会主题　　解决电源IC困扰的ROHM先进电源技术Nano系列　　研讨会时间　　2025年8月27日上午10点　　研讨会讲师朱莎勤 经理　　朱莎勤于2014年加入罗姆公司，目前在罗姆上海FAE部门担任经理一职，主要负责与车载产品相关的技术支持。在面向车载领域的电源管理技术方面有着丰富的工作经验和专业知识，拥有从电源设计、选型评估到应用的丰富经验，为客户进行选型指导和技术支持。　　关于Nano系列　　罗姆的电源技术一直追求小型化和节能化。Nano系列是采用了模拟技术的一种新型电源技术。从开发到制造的全过程都由罗姆自行完成，实现了贯穿始终的生产体制的Nano系列，作为满足市场要求的电源IC将为社会做出贡献。　　超高速脉冲控制技术 Nano Pulse Control™　　超低消耗电流技术 Nano Energy™　　超稳定控制技术 Nano Cap™　　更多内容点击前往查看：　　https://www.rohm.com.cn/support/nano?utm_medium=social&utm_source=wechat&utm_campaign=WeChat%EF%BC%88infor%EF%BC%89&utm_content=250806&openid=ot4DKs6HygwKJWbVFmco7o-TQNb0　　“Nano Pulse Control™”、“Nano Energy™”和“Nano Cap™”是 ROHM Co.，Ltd. 的商标或注册商标。　　相关产品新闻　　电池耗电量显著减少！ROHM开发出静态电流超低的运算放大器　　ROHM开发出可更大程度激发GaN器件性能的超高速栅极驱动器IC　　罗姆ROHM开发出内置新电路的车载LDO稳压器BD9xxN1系列　　相关产品资料　　Nano技术介绍资料：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250724/47ebe618a8466a5259a98241b2a97a52.pdf　　Nano电源技术小册子：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250317/fae26cd34c8eaaea2daf3c179968da0c.pdf　　高精度运算放大器 TLR1901GXZ：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250714/62c74db72e62928eb7bfe43d8ac53b43.pdf　　高精度运算放大器 LMR1901YG-M：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20240219/fa5d3c46b9c8ccfb8f947a83bc597689.pdf　　车载LDO稳压器IC BD9xxN1系列：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20230711/24cf0e822b7736099a3965c58effe41f.pdf
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发布时间：2025-08-06 14:16 阅读量：515 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>推出实现业界超低电路电流的超小尺寸CMOS运算放大器
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ROHM推出实现业界超低电路电流的超小尺寸CMOS运算放大器

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出工作时的电路电流可控制在业界超低水平的超小尺寸CMOS运算放大器“TLR1901GXZ”。该产品非常适用于电池或充电电池驱动的便携式测量仪、可穿戴设备和室内探测器等小型应用中的测量放大器。　　近年来，随着便携式测量仪和可穿戴设备等由电池驱动的应用对控制精度要求的不断提高，用于 量化温度、湿度、振动、压力、流量等参数的传感器以及用来放大传感器信号的运算放大器的重要性日益凸显。另一方面，在致力于实现可持续发展社会等大背景下，应用产品的小型化和节能化已成为当务之急，对单个器件也提出了同样的要求。在这种背景下，ROHM通过进一步优化多年来积累的 “工艺技术”、“封装技术”和“Nano Energy™电路技术”，开发出满足“小型化”、“低静态电流”和“高精度”三大需求的运算放大器。　　新产品通过采用引脚间距缩小至0.35mm的WLCSP*1封装，实现1mm²以下的超小尺寸，同时兼具超低静态电流特性，工作时的电路电流可控制在业界超低的160nA(Typ.)。由此，该新产品不仅能在有限的空间内实现高密度安装，还能大大延长电池寿命和应用产品的续航时间。　　另外，新产品的输入失调电压*2在低静态电流运算放大器中表现尤为突出，最大仅为0.55mV，比普通产品减少约45%。输入失调电压温漂*3也能保证最大仅7µV/℃，即使在易受外部温度影响的设备中也能实现高精度工作。　　此外，若搭配ROHM的超小型通用电阻器MCR004(0402尺寸)和MCR006(0603尺寸)作为运算放大器的增益调节等外围元件使用，可进一步提升设计的灵活性。0402尺寸还提供环保型无铅电阻产品MCR004E。　　新产品已于2025年6月开始暂以2万个/月的规模投入量产。此外，新产品已经开始通过电商进行销售(样品价格300日元/个，不含税)。为便于客户进行初期评估和替换研究，ROHM还提供可支持 SSOP5封装的装有IC的转接板。　　未来，ROHM将持续推进产品的小型化，同时利用自有的超低静态电流技术进一步降低运算放大器的功耗。另外，ROHM还将持续致力于提升产品在低噪声、低失调电压和扩大电源电压范围等方面的性能，并通过提升应用产品的控制精度为解决社会课题贡献力量。　　<产品主要特性>　　<应用示例>　　・消费电子：可穿戴设备、智能设备、人体感应传感器等　　・工业设备：气体探测器、火灾报警器、便携式测量仪、各种物联网设备用的环境传感器等　　<电商销售信息>　　发售时间：2025年6月起　　电商平台：新产品在AMEYA360等电商平台将逐步发售。　　・产品型号：TLR1901GXZ-E2　　・装有IC的转接板：TLR1901GXZ-EVK-001        　　<关于Nano Energy™>　　Nano Energy™是指通过融合ROHM垂直整合型生产体制中的“电路设计”、“布局”和“工艺”三大先进模拟技术，实现了纳安(nA)级电路电流的超低静态电流技术。该技术不仅可以延长电池供电的物联网设备和移动设备的续航时间，还有助于不希望增加功耗的工业设备等实现高效运行。 https://www.rohm.com.cn/support/nano 　　・Nano Energy™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*1)WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package)　　在晶圆状态下完成引脚成型和布线，随后切割成芯片的超小型封装。与将晶圆切割成芯片后通过树脂模塑形成引脚等的普通封装形式不同，这种封装可以做到与内部的半导体芯片相同大小，因此可以缩减封装的尺寸。　　*2)输入失调电压　　运算放大器输入引脚间产生的误差电压。　　*3)输入失调电压温漂　　温度升降导致输入失调电压的波动。该波动量越小，运算放大器的精度越高。
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发布时间：2025-07-29 14:23 阅读量：656 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>推出“PFC+反激控制参考设计”，助力实现更小巧的电源设计！
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ROHM推出“PFC+反激控制参考设计”，助力实现更小巧的电源设计！

　　2025年7月22日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，推出新的参考设计“REF67004”，该设计可通过单个微控制器控制被广泛应用于消费电子电源和工业设备电源中的两种转换器——电流临界模式PFC(Power Factor Correction)*1和准谐振反激式*2转换器。通过将ROHM的优势——由Si MOSFET等功率器件和栅极驱动器IC组成的模拟控制Power Stage电路，与以低功耗LogiCoA™微控制器为核心的数字控制电源电路相结合，推出基于这种模拟和数字融合控制技术的“LogiCoA™电源解决方案”。　　此次发布的参考设计“REF67004”通过电流临界模式PFC转换器对AC输入电压进行升压后，再利用准谐振反激式转换器输出DC 24V电压。其配备的校准功能，可校正外置元器件的特性“偏差”，并由LogiCoA™微控制器高精度地执行各种电压设定和过电流保护。由此，新参考设计可以将电源设计余量估算得更小，从而能够选择体积更小(低功耗)的功率元器件和电感，进而有助于减少电源的安装面积，并降低成本。　　另外，“REF67004”通过日志存储功能，可将输入电压、输出电压和电流、温度等工作记录、停止前的工作状态以及累计运行时间保存在LogiCoA™微控制器内置的非易失性存储器中。通过分析这些数据，可以轻松确定电源故障的原因。电源的各种控制参数和工作记录可通过ROHM官网公开的电源控制用OS“RMOS(Real time Micro Operating System)”等示例程序，经由UART(信号转换器)从PC端轻松设置和获取。另外，用户还可以使用参考设计板“LogiCoA003-EVK-001”(样品价格 100,000日元/个，不含税)在实际设备上进行评估。　　参考设计板、参考板和LogiCoA™微控制器已经开始通过电商进行销售，通过电商平台均可购买。LogiCoA™微控制器已于2024年6月开始投入量产(样品价格650日元/个，不含税)　　<背景>　　在以中小功率工作的工业机器人和半导体制造设备等应用中，大多采用模拟控制电源*3。然而近年来，要求这类电源要具备高可靠性和精细控制功能，仅采用模拟控制方式的电源配置已经很难满足市场需求。另一方面，全数字控制电源*4虽然可以进行更精细的控制和设置，但存在所用的数字控制器功耗大、成本高等问题，因此在中小功率电源中很难普及应用。　　针对这一课题，ROHM开发出融合了模拟和数字技术各自优势的LogiCoA™电源解决方案，结合高性能且低功耗的LogiCoA™微控制器，可轻松实现对各类电源拓扑*5的灵活控制。作为其第一款参考设计，ROHM推出了评估用的“REF66009”， 用户可以在非隔离式降压转换器电路中体验使用LogiCoA™电源解决方案的效果。目前，ROHM又开始提供其第二款参考设计，即由PFC和反激式两种广泛应用于消费电子和工业设备的转换器构成的电源参考设计“REF67004”。未来，ROHM将不断推出各类电源的参考设计，为客户的电源开发提供大力支持。　　<关于“LogiCoA™”品牌>　　LogiCoA™是为了更大程度地发挥出ROHM擅长的模拟电路的性能，基于融合了数字元素的设计理念开发而成的品牌。通过融合模拟电路和数字控制的优势，可充分激发出电路拓扑的潜力，从而有助于提高电能利用效率。LogiCoA™设计理念的定位是不仅适用于电源领域，而且还可用于各种电源解决方案，因此，目前正在考虑将其应用于未来的产品和解决方案。　　・“LogiCoA™”是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　＜LogiCoA™电源解决方案专题页面＞　　在下面的ROHM官网上，详细介绍了LogiCoA™电源解决方案的基本构成与特点等：　　https://www.rohm.com.cn/support/logicoa　　＜LogiCoA™电源解决方案参考设计的产品阵容＞　　在ROHM官网上，除了示例软件外，还公开了评估所需的电路图、PCB布局图、零件清单、支持文档等各种工具。同时用户还可以使用参考设计板在实际设备上进行评估。未来，ROHM将持续扩充参考设计阵容以支持多样化的电源拓扑。　　参考设计产品型号　　・PFC+反激式转换器：REF67004　　・降压转换器：REF66009　　＜LogiCoA™微控制器的产品阵容＞　　该产品配备了可联动定时器的3ch模拟比较器和可对各类参数进行数字控制的D/A转换器等器件，可适配多种电源拓扑。　　＜LogiCoA™微控制器开发支持系统＞　　LogiCoA™微控制器采用ROHM自有的16位RISC CPU内核，支持使用ROHM提供的集成开发环境及仿真工具。在下面ROHM官网的LogiCoA™开发支持系统页面中，介绍了LogiCoA™微控制器开发支持系统的配置和各产品概要：https://www.rohm.com.cn/lapis-tech/product/micon/logicoa-software　　<电商销售信息>　　网售平台：可通过多个渠道购买参考设计板、参考板及LogiCoA™微控制器。　　・参考设计板信息　　参考设计板型号：　　LogiCoA003-EVK-001　　LogiCoA001-EVK-001　　・参考板信息　　参考板型号：　　RB-D62Q2035TD20　　RB-D62Q2045GD24　　・产品信息　　LogiCoA™微控制器型号：　　ML62Q2035-NNNTDZWATZ　　ML62Q2045-NNNGDZW5BY　　<应用示例>　　・工业机器人设备 ・半导体制造设备 ・娱乐设备　　此外，还适用于一般的工业设备和消费电子设备(50W～1kW)等各种应用。　　<术语解说>　　*1)电流临界模式PFC(Power Factor Correction)转换器　　在开关电源中，将交流电(AC)转换为直流电(DC)时具有出色的功率因数(衡量所供电能中有多少被有效利用的指标)，采用AC-DC转换器电路结构，所产生的噪声比电流连续模式PFC的更少。功率因数为“1”时，表示所供电能全部被有效利用。　　*2)准谐振反激式转换器　　作为DC-DC转换器的一种电路结构，用于构成隔离式电源，通过准谐振方式可降低开关损耗和噪声。适用于100W左右的应用产品，在元器件数量和成本方面有显著优势。此外还有正激式等其他方式的产品，构成这些电路的器件不断更新迭代，使隔离式电源的体积更小、效率更高。　　*3)模拟控制电源　　由模拟器件组成的简单电源。因其电源结构简单且功耗低而成为目前1kW以下电源中的主流电源。但是，其很难实现任意参数设置、日志数据存储等高级功能，而如果要实现这些功能，就需要考虑成本和功耗较高的全数字控制电源。　　*4)全数字控制电源　　利用数字技术控制供电的电源。利用高速CPU和DSP等，可以精确监测和控制电压、电流等各种参数，从而可提高电源的效率和可靠性等性能。另外，还可以实现模拟控制电源难以实现的功能，比如采集工作日志数据。然而其CPU和DSP价格较高，功耗也大，在成本和节能方面一直存在瓶颈。　　CPU：中央处理器。执行程序并进行数据处理的核心处理器。　　DSP：数字信号处理器。将模拟信号转换为数字信号，并进行滤波、放大等处理。　　*5)拓扑　　指电路结构。电源拓扑是用于转换电力的电路结构，其结构会根据输入电压、输出电压、功率、有无绝缘等规格要求而有所不同。
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发布时间：2025-07-22 16:48 阅读量：699 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>发布新SPICE模型“<span style='color:red'>ROHM</span> Level 3（L3）” 功率半导体的仿真速度实现质的飞跃
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ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）” 功率半导体的仿真速度实现质的飞跃

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”，该模型提升了收敛性和仿真速度。　　功率半导体的损耗对系统整体效率有重大影响，因此在设计阶段的仿真验证中，模型的精度至关重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1(L1)”，通过提高每种特性的复现性，满足了高精度仿真的需求。然而另一方面，该模型存在仿真收敛性问题和运算时间较长等问题，亟待改进。　　新模型“ROHM Level 3(L3)”通过采用简化的模型公式，能够在保持计算稳定性和开关波形精度的同时，将仿真时间较以往L1模型缩短约50%。由此，能够高精度且快速地执行电路整体的瞬态分析，从而有助于提升应用设计阶段的器件评估与损耗确认的效率。　　“ROHM Level 3(L3)”的第4代SiC MOSFET模型(共37款机型)已于2025年4月在官网上发布，用户可通过产品页面等渠道下载。新模型L3推出后，以往模型仍将继续提供。另外，ROHM还发布了详细的使用说明白皮书，以帮助用户顺利导入新模型。用户可从第4代SiC MOSFET相应产品页面的“设计模型”中下载　　<相关信息>　　- 白皮书　　- 设计模型支持页面　　- SiC MOSFET技术文档　　未来，ROHM将继续通过提升仿真技术，助力实现更高性能以及更高效率的应用设计，为电力转换技术的革新贡献力量。
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发布时间：2025-06-10 15:57 阅读量：735 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET
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ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET

　　~兼具更宽SOA范围和更低导通电阻，被全球知名云平台企业认证为推荐器件~　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)于6月3日宣布，开发出100V耐压的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服务器的48V电源热插拔电路*2以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。　　RY7P250BM为8×8mm尺寸的MOSFET，预计该尺寸产品未来需求将不断增长，可以轻松替代现有产品。另外， 新产品同时实现了更宽SOA范围*3( 条件：VDS=48V、Pw= 1ms/10ms) 和更低导通电阻(RDS(on))*4，由此既可确保热插拔(电源启动)工作时的更高产品可靠性，又能优化电源效率，降低功耗并减少发热量。　　为了兼顾服务器的稳定运行和节能，热插拔电路必须具有较宽的SOA范围，以承受大电流负载。特别是AI服务器的热插拔电路，与传统服务器相比需要更宽的SOA范围。RY7P250BM的SOA在脉宽10ms时可达16A、1ms时也可达50A，实现业界超优性能，能够应对以往MOSFET难以支持的高负载应用。　　RY7P250BM是具有业界超宽SOA范围的MOSFET，并且实现了更低导通电阻，从而大幅降低了通电时的功率损耗和发热量。具有宽SOA范围的普通8×8mm尺寸100V耐压MOSFET的导通电阻绝大多数约为2.28mΩ ，而RY7P250BM 的导通电阻则降低了约18% —— 仅有1.86mΩ ( 条件： VGS=10V 、ID=50A 、 Tj=25℃)。这种低导通电阻有助于提升服务器电源的效率、减轻冷却负荷并降低电力成本。　　与此同时，RY7P250BM还被全球知名云平台企业认证为推荐器件，预计未来将在AI服务器领域得到更广泛的应用。在注重可靠性与节能的服务器领域中，RY7P250BM更宽SOA范围与更低导通电阻的平衡在云应用中得到了高度好评。　　新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产(样品价格800日元/个，不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂)，后道工序的生产基地为OSAT(泰国)。另外，新产品已经开始通过电商进行销售，通过电商平台均可购买。　　未来，ROHM将继续扩大适用于服务器和工业设备48V电源的产品阵容，通过提供效率高且可靠性高的解决方案，为建设可持续ICT基础设施和节能贡献力量。　　<开发背景>　　随着AI技术的飞速发展，数据中心的负载急剧增加，服务器功耗也逐年攀升。特别是随着配备生成式AI和高性能GPU的服务器日益普及，如何兼顾进一步提升电力效率和支持大电流这两个相互冲突的需求，一直是个难题。在此背景下，相较传统12V电源系统具有更高转换效率的48V电源系统正在加速扩大应用。另外， 在服务器运行状态下实现模块更换的热插拔电路中， 需要兼具更宽SOA范围和更低导通电阻的 MOSFET，以防止浪涌电流*5和过载时造成损坏。新产品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同时具备业界超宽SOA范围和超低导通电阻，有助于降低数据中心的功率损耗、减轻冷却负荷，从而提升服务器的可靠性并实现节能。　　<产品主要特性>　　<应用示例>　　・AI(人工智能)服务器和数据中心的48V系统电源热插拔电路　　・工业设备48V系统电源(叉车、电动工具、机器人、风扇电机等)　　・AGV(自动导引车)等电池驱动的工业设备　　・UPS、应急电源系统(电池备份单元)　　<电商销售信息>　　发售时间：2025年5月起　　新产品在其他电商平台也将逐步发售。　　产品型号：RY7P250BM　　<关于EcoMOS™品牌>　　EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。　　・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*1)功率MOSFET　　适用于功率转换和开关应用的一种MOSFET。目前，通过给栅极施加相对于源极的正电压而导通的Nch MOSFET是主流产品，相比Pch MOSFET，具有导通电阻小、效率高的特点。因其可实现低损耗和高速开关而被广泛用于电源电路、电机驱动电路和逆变器等应用。　　*2)热插拔电路　　可在设备电源运转状态下实现元器件插入或拆卸的、支持热插拔功能的整个电路。由MOSFET、保护元件和接插件等组成，负责抑制元器件插入时产生的浪涌电流并提供过流保护，从而确保系统和所连接元器件的安全工作。　　*3)SOA(Safe Operating Area)范围　　元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏，特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中，需要考虑SOA范围。　　*4)导通电阻(RDS(on))　　MOSFET工作(导通)时漏极与源极间的电阻值。该值越小，工作时的损耗(功率损耗)越少。　　*5)浪涌电流(Inrush Current)　　在电子设备接通电源时，瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷，所以通过控制浪涌电流，可防止设备损坏并提高系统稳定性。
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发布时间：2025-06-04 09:42 阅读量：660 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产
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ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产

　　5月27日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用，可使GaN器件在高频、高速开关过程中实现更稳定的驱动，有助于电机和服务器电源等大电流应用进一步缩减体积并提高效率。　　新产品是ROHM首款面向高耐压GaN HEMT的隔离型栅极驱动器IC。在电压反复急剧升降的开关工作中，使用本产品可将器件与控制电路隔离，从而确保信号的安全传输。　　新产品通过采用ROHM自主开发的片上隔离技术，有效降低寄生电容，实现高达2MHz的高频驱动。通过充分发挥GaN器件的高速开关特性，不仅有助于应用产品更加节能和实现更高性能，还可通过助力外围元器件的小型化来削减安装面积。　　另外，隔离型栅极驱动器IC的抗扰度指标——共模瞬态抗扰度(CMTI)*¹达到150V/ns(纳秒)，是以往产品的1.5倍，可有效防止GaN HEMT开关时令人困扰的高转换速率引发的误动作，从而有助于系统实现稳定的控制。最小脉冲宽度较以往产品缩减33%，导通时间缩短至仅65ns。因此，虽然频率更高却仍可确保最小占空比，从而可将损耗控制在更低程度。　　GaN器件的栅极驱动电压范围为4.5V～6.0V，绝缘耐压为2500Vrms，新产品可充分激发出各种高耐压 GaN器件(包括ROHM EcoGaN™系列产品阵容中新增的650V耐压GaN HEMT“GNP2070TD-Z”)的性能潜力。输出端的消耗电流仅0.5mA(最大值)，达到业界超低功耗水平，另外还可有效降低待机功耗。　　新产品已于2025年3月开始量产(样品价格：600日元/个，不含税)。另外，新产品也已开始网售，通过电商平台均可购买。　　EcoGaN™是ROHM Co.,Ltd.的商标或注册商标。　　<开发背景>　　在全球能源消耗逐年攀升的背景下，节能对策已成为世界各国共同面临的课题。尤其值得注意的是，据调查“电机”和“电源”消耗的电量约占全球总用电量的97%。改善“电机”和“电源”效率的关键在于采用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等新材料制造的、负责功率控制和转换的新一代功率器件。　　ROHM充分发挥其在硅半导体和SiC隔离型栅极驱动器IC开发过程中积累的技术优势，成功开发出第一波产品——专为GaN器件驱动而优化的隔离型栅极驱动器IC。未来，ROHM将配套提供GaN器件驱动用的栅极驱动器IC与GaN器件，为应用产品的设计提供更多便利。　　<应用示例>　　◇ 工业设备：光伏逆变器、ESS(储能系统)、通信基站、服务器、工业电机等的电源　　◇ 消费电子：白色家电、AC适配器(USB充电器)、电脑、电视、冰箱、空调　　<术语解说>　　*1) 共模瞬态抗扰度(CMTI)　　隔离型栅极驱动器的主要参数之一，指产品对短时间内发生的电压急剧变化的耐受能力。特别是驱动GaN HEMT等转换速率较高的器件时，容易产生急剧的电压变化，通过采用CMTI性能优异的栅极驱动器，可有效防止器件损坏，并降低电路的短路风险。
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发布时间：2025-05-28 09:04 阅读量：577 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>推出实现业界超低导通电阻的小型MOSFET，助力快速充电应用
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ROHM推出实现业界超低导通电阻的小型MOSFET，助力快速充电应用

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出30V耐压共源Nch MOSFET*1新产品“AW2K21”，其封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm，导通电阻*2低至2.0mΩ(Typ.)，达到业界先进水平。　　新产品采用ROHM自有结构，不仅提高器件集成度，还降低单位芯片面积的导通电阻。另外，通过在一个器件中内置双MOSFET的结构设计，仅需1枚新产品即可满足双向供电电路所需的双向保护等应用需求。　　新产品中的ROHM自有结构能够将通常垂直沟槽MOS结构中位于背面的漏极引脚置于器件表面，并采用了WLCSP*3封装。WLCSP能够增加器件内部芯片面积的比例，从而降低新产品的单位面积导通电阻。导通电阻的降低不仅减少了功率损耗，还有助于支持大电流，使新产品能够以超小体积支持大功率快速充电。例如，对小型设备的双向供电电路进行比较后发现，使用普通产品需要2枚3.3mm×3.3mm的产品，而使用新产品仅需1枚2.0mm×2.0mm的产品即可，器件面积可减少约81%，导通电阻可降低约33%。即使与通常被认为导通电阻较低的同等尺寸GaN HEMT*4相比，新产品的导通电阻也降低了约50%。因此，这款兼具低导通电阻和超小体积的“AW2K21”产品有助于降低应用产品的功耗并节省空间。　　另外，新产品还可作为负载开关应用中的单向保护MOSFET使用，在这种情况下也实现了业界超低导通电阻。　　新产品已于2025年4月开始暂以月产50万个的规模投入量产(样品价格500日元/个，不含税)。新产品在电商平台将逐步销售。　　ROHM还在开发更小体积的1.2mm×1.2mm产品。未来，ROHM将继续致力于提供更加节省空间并进一步提升效率的产品，助力应用产品的小型化和节能化发展，为实现可持续发展社会贡献力量。　　<开发背景>　　近年来，为缩短充电时间，智能手机等配备大容量电池的小型设备中，配备快速充电功能的产品日益增多。这类设备需要具备双向保护功能以防止在非供电状态时电流反向流入外围IC等器件。此外，为了在快速充电时支持大电流，智能手机等制造商对MOSFET有严格的规格要求，如最大电流为20A、击穿电压*5为28V至30V、导通电阻为5mΩ以下等。然而，普通MOSFET产品若要满足这些要求，就需要使用2枚导通电阻较低的大体积MOSFET，而这会导致安装面积增加。为了解决这个问题，ROHM开发出采用超小型封装并具备低导通电阻的MOSFET“AW2K21”，非常适用于大功率快速充电应用。　　<产品主要特性>　　<应用示例>      ・智能手机・VR(Virtual Reality)眼镜・小型打印机      ・平板电脑・可穿戴设备・液晶显示器      ・笔记本电脑・掌上游戏机・无人机　　此外，新产品还适用于其他配备快速充电功能的小型设备等众多应用。　　<电商销售信息>　　发售时间：2025年4月起　　新产品在电商平台将逐步发售。　　产品型号：AW2K21　　<术语解说>　　*1)MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的缩写)　　一种采用金属-氧化物-半导体结构的场效应晶体管，是FET中最常用的类型。　　通常由“栅极”、“漏极”和“源极”三个引脚组成。其工作原理是通过向控制用的栅极施加电压，增加漏极流向源极的电流。　　Nch MOSFET是一种通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。　　共源结构的MOSFET内置两个MOSFET器件，它们共享源极引脚。　　*2)导通电阻　　MOSFET工作(导通)时漏极与源极间的电阻值。数值越小，工作时的损耗(功率损耗)越小。　　*3)WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package)　　在晶圆状态下完成引脚成型和布线，随后切割成芯片的超小型封装。与将晶圆切割成芯片后通过树脂模塑形成引脚等的普通封装形式不同，这种封装可以做到与内部的半导体芯片相同大小，因此可以缩减封装的尺寸。　　*4)GaN HEMT　　GaN(氮化镓)是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料，与普通的半导体材料Si(硅)相比，其物性更优异，开关速度更快，支持高频率工作。　　HEMT是High Electron Mobility Transistor(高电子迁移率晶体管)的英文首字母缩写。　　*5)击穿电压　　MOSFET漏极和源极之间可施加的最大电压。如果超过该电压，会发生绝缘击穿，导致器件无法正常工作。
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发布时间：2025-05-16 10:52 阅读量：910 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>推出高功率密度的新型SiC模块，将实现车载充电器小型化！
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ROHM推出高功率密度的新型SiC模块，将实现车载充电器小型化！

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。该系列产品非常适用于xEV(电动汽车)车载充电器(以下简称“OBC”)的PFC*1和LLC*2转换器等应用。HSDIP20的产品阵容包括750V耐压的6款机型(BSTxxx1P4K01)和1200V耐压的7款机型(BSTxxx2P4K01)。通过将各种大功率应用的电路中所需的基本电路集成到小型模块封装中，可有效减少客户的设计时间，而且有助于实现OBC等应用中电力变换电路的小型化。　　HSDIP20内置有散热性能优异的绝缘基板，即使大功率工作时也可有效抑制芯片的温升。事实上，在OBC常用的PFC电路(采用6枚SiC MOSFET)中，使用6枚顶部散热型分立器件与使用1枚6in1结构的HSDIP20模块在相同条件下进行比较后发现，HSDIP20的温度比分立结构低约38℃(25W工作时)。这种出色的散热性能使得该产品以很小的封装即可应对大电流需求。另外，与顶部散热型分立器件相比，HSDIP20的电流密度达到3倍以上;与同类型DIP模块相比，电流密度高达1.4倍以上，达到业界先进水平。因此，在上述PFC电路中，HSDIP20的安装面积与顶部散热型分立器件相比可减少约52%，这非常有利于实现OBC等应用中电力变换电路的小型化。　　新产品已于2025年4月开始暂以月产10万个的规模投入量产(样品价格15,000日元/个，不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Apollo CO., LTD.(日本福冈县筑后工厂)和蓝碧石半导体宫崎工厂(日本宫崎县)，后道工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand)Co., Ltd.(泰国)。如需样品或了解相关事宜，请联系AMEYA360或通过罗姆官网的“联系我们”垂询。　　<开发背景>　　近年来，为实现无碳社会，电动汽车的普及速度进一步加快。在电动汽车领域，为延长车辆的续航里程并提升充电速度，所采用的电池正在往更高电压等级加速推进，同时，提升OBC和DC-DC转换器输出功率的需求也日益凸显。另一方面，市场还要求这些应用实现小型化和轻量化，其核心是提高功率密度，同时亟需在影响功率密度提升的散热性能改善方面实现技术性突破。ROHM开发的HSDIP20解决了分立结构越来越难以应对的这一技术难题，有助于电动动力总成系统实现更高功率输出和更小体积。未来，ROHM将继续开发兼具小型化与高效化的SiC模块产品，同时致力于开发能够实现更小体积和更高可靠性的车载SiC IPM。　　<产品阵容>　　<应用示例>　　PFC和LLC转换器等电源转换电路也广泛应用于工业设备的一次侧电路中，因此HSDIP20还能为工业设备和消费电子等领域的应用产品小型化提供支持。　　◇车载设备　　车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电动压缩机等　　◇工业设备　　EV充电桩、V2X系统、AC伺服器、服务器电源、PV逆变器、功率调节器等　　<支持信息>　　ROHM拥有在公司内部进行电机测试的设备，可在应用层面提供强力支持。为了加快HSDIP20产品的评估和应用，ROHM还提供各种支持资源，其中包括从仿真到热设计的丰富解决方案，助力客户快速采用HSDIP20产品。另外，ROHM还提供双脉冲测试用和三相全桥用的两种评估套件，支持在接近实际电路条件的状态下进行评估。详细信息请联系AMEYA360或通过罗姆官网的“联系我们”垂询。　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，已经确立了SiC领域先进企业的地位。　[注] EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*1)PFC(Power Factor Correction/功率因数校正)　　通过改善电源电路中的输入功率波形来提高功率因数的电路。使用PFC电路可使输入功率接近正弦波(功率因数=1)，从而提升功率转换效率。PFC电路一般是采用二极管进行整流，但OBC通常使用以MOSFET实现的有源桥式整流或无桥PFC。这是因为MOSFET的开关损耗更低，尤其是大功率PFC中，采用SiC MOSFET可以减少发热和功率损耗。　　*2)LLC转换器　　一种可实现高效率和低噪声功率转换的谐振型DC-DC转换器。其电路的基本结构是由两个电感(L)和一个电容(C)组成的，因此被称为LLC转换器。通过形成谐振电路，可大幅降低开关损耗，非常适合OBC、工业设备电源和服务器电源等追求高效率的应用场景。
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发布时间：2025-04-24 14:31 阅读量：713 继续阅读>>

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